Главная страница 1
скачать файл


  1. Определение электроники. Направления промышленной электроники.

  2. Этапы развития электроники.

  3. Полупроводниковые приборы. Общие сведения.

  4. Классификация электронных приборов.

  5. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов

  6. Основные свойства полупроводников.

  7. Энергетические зоны полупроводников.

  8. Собственные полупроводники.

  9. Примесные полупроводники.

  10. Метод расчета концентраций носителей заряда. Распределения Ферми-Дирака, Максвелла- Больцмана.

  11. Условие электрической нейтральности для полупроводников.

  12. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках.

  13. Зависимость концентрации основных носителей заряда от температуры.

  14. Неравновесное состояние полупроводников.

  15. Плотность тока в полупроводнике.

  16. Электрические переходы.

  17. Структура p-n-перехода.

  18. Образование p-n-перехода.

  19. Зависимость толщины частей p-n-перехода от концентрации примеси. Базовая область p-n-перехода.

  20. Энергетическая диаграмма p-n-перехода в состоянии равновесия. Формула для контактной разности потенциалов.

  21. Потенциальный барьер, толщина и энергетические диаграммы p-n-перехода в неравновесном состоянии.

  22. Вольт-амперная характеристика идеализированного p-n-перехода. Принятые допущения, предположение, вывод, параметры, зависимость от температуры.

  23. Вольт-амперная характеристика реального p-n-перехода. Учет факторов не идеальности.

  24. Учет генерации и рекомбинации носителей заряда в обедненном слое.

  25. Учет сопротивления активных областей p-n-перехода.

  26. Лавинный и туннельный пробой p-n-перехода.

  27. Поверхностный пробой (ток утечки) и тепловой пробой p-n-перехода.

  28. Параметры и модель p-n-перехода в динамическом режиме.

  29. Барьерная емкость p-n-перехода.

  30. Диффузная емкость p-n-перехода.

  31. Переходные процессы в p-n-переходе при скачкообразном изменении полярности напряжения.

  32. Переходные процессы в p-n-переходе при воздействии импульса прямого тока.

  33. Контакт металл-полупроводник.

  34. Гетеропереходы.

  35. Классификация диодов. Выпрямительные диоды.

  36. Стабилитроны и стабисторы.

  37. Варикапы.

  38. Универсальные и импульсные диоды.

  39. Биполярные транзисторы. Общие сведения, структура, режимы работы, схемы включения.

  40. Физические процессы в бездрейфовом транзисторе.

  41. Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса-Молла).

  42. Статические характеристики биполярных транзисторов для схемы с общей базой.

  43. Статические характеристики биполярных транзисторов для схемы с общим эмиттером.

  44. Дифференциальные параметры биполярного транзистора.

  45. Графоаналитическое рассмотрение биполярного транзистора в усилительном каскаде при большом сигнале.

  46. Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник.

  47. Модели биполярного транзистора.

  48. Статический режим ключевой схемы на биполярном транзисторе.

  49. Полевые транзисторы. Общие сведения.

  50. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Устройство и принцип действия.

МДП-транзистор. Устройство и принцип действия.

  1. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим переходом. [2] – 6.1, стр. 303.

  2. Статические характеристики полевого транзистора с изолированным затвором. [2] – 6.5, стр. 313.

  3. Параметры МДП-транзисторов. [2] – 6.7, стр. 321.

  4. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Общая характеристика. [1] - 1.5.1, стр. 124; [2] – 9.1, стр. 361.

  5. Светодиод. Устройство, характеристики и параметры. [1] - 1.5.2, стр. 125; [2] – 9.2, стр. 361.

  6. Фотодиоды. Принцип действия, характеристики и параметры. [1] - 1.5.4, стр. 132; [2] – 9.7, стр. 384.

  7. Влияние температуры на статические характеристики биполярного транзистора. [4] – 5.3.3, стр. 91-92.

  8. Частотные свойства биполярного транзистора. Постановка задачи. [4] – 5.7, стр. 104-106.

  9. Частотная зависимость коэффициента передачи тока биполярного транзистора в схеме с общей базой. [4] – 5.7.5, стр. 114-115.

  10. Частотная зависимость коэффициента передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. [4] – 5.7.6, стр. 115-118.

  11. Переходные процессы в простейшем ключе на основе биполярного транзистора включенного по схеме с ОЭ. [4] – 5.8.3, стр.125-129.

  12. Тиристоры, принцип действия и область применения. [4] – 6.1, стр. 132.

  13. Динистор, структура, принцип действия, вольт-амперная характеристика. [4] – 6.2, стр.135-140.

  14. Тринистор, структура, принцип действия, вольт-амперная характеристика. [4] – 6.3, стр.140-141.

  15. Симистор. структура, принцип действия, вольт-амперная характеристика. [4] – 6.3, стр.141-142.

  16. Усилители электрических сигналов. Общие сведения. [3] - 5.1, стр. 135.

  17. Классификация усилителей. Основные параметры и характеристики усилителей. [1] - 2.1, стр. 195; [3] – 5.2, стр. 139.

  18. Операционные усилители. Краткое описание. [1] - 1.6,1.6.1, стр. 139; [3] – 7.1, стр. 272.

  19. Основные параметры операционных усилителей. [3] – 7.2, стр. 278.

  20. Интегральные микросхемы. Общие сведения. [2] - 7.1, стр. 332.

  21. Классификация интегральных микросхем. [2] - 7.2, стр. 333.

  22. Методы изготовления интегральных микросхем. [2] - 7.3, стр. 334.

  23. Транзисторы. Технология изготовления. [2] - 4.17, стр. 265.

  24. Полупроводниковые датчики температуры. [3] - 3.1, стр. 70.

Литература

  1. Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: Учеб. Пособие. 3-е изд. перераб. и доп. – Ростов н/Д.: изд-во «Феникс», 2002. – 576 с.

  2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 5-е изд., исправленное. – СПб.: Издательство «Лань», 2001. – 480 с.

  3. Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс): Учебник для вузов – М.: Горячая Линия – Телеком, 1999. – 768 с.

  4. Бобровский Ю.Л., Корнилов С.А., Кратиров И.А. и др. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: Учебное пособие для вузов /Под ред. Проф. Н.Д.Федорова. – М: Радио и связь, 1998. – 560 с.
скачать файл



Смотрите также:
Определение электроники. Направления промышленной электроники
43.81kb.
Ifa-2009: Всемирный смотр бытовой электроники
48.45kb.
Организация и проведение мастер классов по направлению «Применение микроэлекромеханических систем с создании изделий электроники»
102.05kb.
Самая распространенная швейная бытовая машина, несмотря на 21 век электроники швейная машина Подольск класса 2М. Простая, старенькая машинка с ручным, как правило, приводом, иногда ножным, а еще реже электроприводом
37.18kb.
Социально-экономическое развитие Зайсанского района за январь-март 2013 года Объем произведенной промышленной продукции
16.6kb.
Определение первообразной. Определение неопределенного интеграла. Привести примеры
134.89kb.
Программа дисциплины [Введите название дисциплины] для направления/ специальности [код направления подготовки и «Название направления подготовки»
351.94kb.
1Область применения и нормативные ссылки
229.42kb.
Лекция №6 Вредные вещества и их воздействие на человека. Основы промышленной токсикологии Вопросы
87.75kb.
Государства- члены Парижской конвенции по охране промышленной
24.06kb.
Раннего и продовольственного картофеля
93.51kb.
Определение точки кюри ферримагнетика
86.53kb.